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8 733 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,700 $ |
| 25+ | 1,510 $ |
| 100+ | 1,220 $ |
| 500+ | 1,100 $ |
| 1000+ | 0,862 $ |
| 2500+ | 0,829 $ |
| 5000+ | 0,798 $ |
| 10000+ | 0,790 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,70 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISH129DN-T1-GE3
Code Commande78AC6531
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.0114ohm
On Resistance Rds(on)0.0095ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd52.1W
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation52.1W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0114ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
On Resistance Rds(on)
0.0095ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
52.1W
Power Dissipation
52.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SISH129DN-T1-GE3
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits