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SISH892BDN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 20 A, 0.0304 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISH892BDN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant53 semaines
Code Commande87AJ3412
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,420 $ |
| 10+ | 1,140 $ |
| 100+ | 0,771 $ |
| 500+ | 0,667 $ |
| 1000+ | 0,581 $ |
| 2500+ | 0,471 $ |
| 10000+ | 0,456 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISH892BDN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant53 semaines
Code Commande87AJ3412
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.0304ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation29W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
29W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0304ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SISH892BDN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit