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SISS12DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 40V, 60A, 150DEG C, 65.7W
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS12DN-T1-GE3
Code Commande81AC2796
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
17 168 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,330 $ |
| 10+ | 1,770 $ |
| 25+ | 1,640 $ |
| 50+ | 1,530 $ |
| 100+ | 1,410 $ |
| 250+ | 1,320 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,33 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS12DN-T1-GE3
Code Commande81AC2796
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.00161ohm
Drain Source On State Resistance0.00161ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation65.7W
Power Dissipation Pd65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.00161ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.7W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.00161ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation Pd
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SISS12DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits