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SISS26LDN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 60V, 81.2A, 150DEG C, 57W
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS26LDN-T1-GE3
Code Commande06AH4241
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
15 503 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,460 $ |
| 10+ | 1,870 $ |
| 25+ | 1,710 $ |
| 50+ | 1,560 $ |
| 100+ | 1,410 $ |
| 250+ | 1,300 $ |
| 500+ | 1,180 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,46 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS26LDN-T1-GE3
Code Commande06AH4241
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id81.2A
Drain Source On State Resistance4300µohm
On Resistance Rds(on)0.0034ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd57W
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
4300µohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
57W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
81.2A
On Resistance Rds(on)
0.0034ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits