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SISS46DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 45.3A, 150DEG C
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS46DN-T1-GE3
Code Commande99AC9592
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
14 081 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,420 $ |
| 25+ | 3,020 $ |
| 100+ | 2,460 $ |
| 500+ | 2,200 $ |
| 1000+ | 1,740 $ |
| 2500+ | 1,670 $ |
| 5000+ | 1,620 $ |
| 10000+ | 1,600 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,42 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS46DN-T1-GE3
Code Commande99AC9592
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id45.3A
On Resistance Rds(on)0.0106ohm
Drain Source On State Resistance0.0128ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd65.7W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.4V
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0106ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
65.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
45.3A
Drain Source On State Resistance
0.0128ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SISS46DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits