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SISS98DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 14.1 A, 0.105 ohm, PowerPAK 1212-8S, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS98DN-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète20AC3915
Bandes découpées15AN1313
Gamme de produitThunderFET
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 41 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 6000 | 0,836 $ | 5 016,00 $ |
| Total Prix | 5 016,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 0,836 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 0,818 $ |
| 10000+ | 0,805 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS98DN-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète20AC3915
Bandes découpées15AN1313
Gamme de produitThunderFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id14.1A
Drain Source On State Resistance0.105ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeThunderFET
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
14.1A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.105ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
ThunderFET
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SISS98DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit