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SIZ260DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 80 V, 80 V, 24.7 A, 24.7 A, 0.0204 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
| Fabricant | VISHAY |
|---|---|
| Réf. Fabricant | SIZ260DT-T1-GE3Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 53 semaines |
| Code Commande | Bobine complète86AK6262 Mise en bobine42AH1983RL Bandes découpées42AH1983 |
| Gamme de produit | TrenchFET Gen IV Series |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
28 770 En Stock
28 770 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,110 $ | 3,11 $ |
| Total Prix | 3,11 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,110 $ |
| 50+ | 1,650 $ |
| 100+ | 1,510 $ |
| 250+ | 1,390 $ |
| 500+ | 1,260 $ |
| 1000+ | 1,240 $ |
| 2500+ | 1,190 $ |
| 5000+ | 1,140 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,030 $ |
| 6000+ | 0,988 $ |
| 9000+ | 0,949 $ |
| 15000+ | 0,930 $ |
| 30000+ | 0,911 $ |
| 75000+ | 0,892 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | VISHAY |
|---|---|
| Réf. Fabricant | SIZ260DT-T1-GE3Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 53 semaines |
| Code Commande | Bobine complète86AK6262 Mise en bobine42AH1983RL Bandes découpées42AH1983 |
| Gamme de produit | TrenchFET Gen IV Series |
| Fiche technique | |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 80V |
| Continuous Drain Current Id | 24.7A |
| Drain Source Voltage Vds P Channel | 80V |
| Drain Source Voltage Vds | 80V |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 24.7A |
| Continuous Drain Current Id P Channel | 24.7A |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0204ohm |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0204ohm |
| Transistor Case Style | PowerPAIR |
| No. of Pins | 8Pins |
| Power Dissipation N Channel | 33W |
| Power Dissipation P Channel | 33W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Product Range | TrenchFET Gen IV Series |
| Qualification | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | Lead (04-Feb-2026) |
Spécifications techniques
| Channel Type | N Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 24.7A |
| Drain Source Voltage Vds | 80V |
| Continuous Drain Current Id P Channel | 24.7A |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0204ohm |
| No. of Pins | 8Pins |
| Power Dissipation P Channel | 33W |
| Product Range | TrenchFET Gen IV Series |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 80V |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds P Channel | 80V |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 24.7A |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0204ohm |
| Transistor Case Style | PowerPAIR |
| Power Dissipation N Channel | 33W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Qualification | - |
| SVHC | Lead (04-Feb-2026) |
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIZ260DT-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | Lead (04-Feb-2026) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |