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SIZ260DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 80 V, 80 V, 24.7 A, 24.7 A, 0.0204 ohm
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIZ260DT-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6262
Mise en bobine42AH1983
Bandes découpées42AH1983
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Votre numéro de pièce
43 223 En Stock
43 223 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,060 $ | 3,06 $ |
| Total Prix | 3,06 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,060 $ |
| 10+ | 2,060 $ |
| 25+ | 1,870 $ |
| 50+ | 1,670 $ |
| 100+ | 1,480 $ |
| 250+ | 1,350 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,000 $ |
| 6000+ | 0,975 $ |
| 12000+ | 0,950 $ |
| 18000+ | 0,929 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIZ260DT-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6262
Mise en bobine42AH1983
Bandes découpées42AH1983
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id24.7A
Drain Source Voltage Vds N Channel80V
Drain Source Voltage Vds P Channel80V
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id N Channel24.7A
Continuous Drain Current Id P Channel24.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0204ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0204ohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel33W
Power Dissipation P Channel33W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
80V
Drain Source Voltage Vds
80V
Continuous Drain Current Id P Channel
24.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0204ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
33W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
24.7A
Drain Source Voltage Vds P Channel
80V
Continuous Drain Current Id N Channel
24.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0204ohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
33W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit