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SIZ918DT-T1-GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 28 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1.2 V RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
2 053 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,760 $ |
| 10+ | 2,620 $ |
| 25+ | 2,390 $ |
| 50+ | 2,160 $ |
| 100+ | 1,940 $ |
| 250+ | 1,780 $ |
| 500+ | 1,620 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,76 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIZ918DT-T1-GE3
Code Commande63W4140
Fiche technique
Channel TypeN Channel + Schottky
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel28A
Continuous Drain Current Id P Channel28A
Drain Source On State Resistance N Channel0.01ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.01ohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins10Pins
Power Dissipation N Channel100W
Power Dissipation P Channel100W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
28A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.01ohm
No. of Pins
10Pins
Power Dissipation P Channel
100W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
28A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
28A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.01ohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
100W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits