Imprimer la page
SIZ998DT-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 60A, POWERPAIR
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIZ998DT-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Mise en bobine43AC4021RL
Bandes découpées43AC4021
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
10 399 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,500 $ | 3,50 $ |
| Total Prix | 3,50 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,500 $ |
| 50+ | 1,710 $ |
| 100+ | 1,540 $ |
| 250+ | 1,390 $ |
| 500+ | 1,230 $ |
| 1000+ | 1,160 $ |
| 2500+ | 1,110 $ |
| 5000+ | 1,050 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIZ998DT-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Mise en bobine43AC4021RL
Bandes découpées43AC4021
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel2200µohm
Drain Source On State Resistance P Channel2200µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel32.9W
Power Dissipation P Channel32.9W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
2200µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
32.9W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
60A
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
2200µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
32.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIZ998DT-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit