Imprimer la page
SIZF916DT-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 60A, POWERPAIR
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIZF916DT-T1-GE3
Code Commande81AC2801
Gamme de produitTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 31 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,270 $ |
| 10+ | 2,150 $ |
| 25+ | 1,940 $ |
| 50+ | 1,720 $ |
| 100+ | 1,510 $ |
| 250+ | 1,510 $ |
| 500+ | 1,490 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,27 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIZF916DT-T1-GE3
Code Commande81AC2801
Gamme de produitTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel900µohm
Drain Source On State Resistance P Channel900µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel60W
Power Dissipation P Channel60W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel + Schottky
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
900µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
60W
Product Range
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
900µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
60W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIZF916DT-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits