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SIZF918DT-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 60A, POWERPAIR
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIZF918DT-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Mise en bobine81AC2802RL
Bandes découpées81AC2802
Gamme de produitTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 18 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,590 $ | 3,59 $ |
| Total Prix | 3,59 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,590 $ |
| 50+ | 1,750 $ |
| 100+ | 1,570 $ |
| 250+ | 1,420 $ |
| 500+ | 1,260 $ |
| 1000+ | 1,230 $ |
| 2500+ | 1,160 $ |
| 5000+ | 1,090 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIZF918DT-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Mise en bobine81AC2802RL
Bandes découpées81AC2802
Gamme de produitTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel1200µohm
Drain Source On State Resistance P Channel1200µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel50W
Power Dissipation P Channel50W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
1200µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
50W
Product Range
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
60A
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
1200µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIZF918DT-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit