Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ1922AEEH-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Mise en bobine28AH5239RL
Bandes découpées28AH5239
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
2 109 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 1,120 $ | 5,60 $ |
| Total Prix | 5,60 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,120 $ |
| 10+ | 0,694 $ |
| 25+ | 0,612 $ |
| 50+ | 0,529 $ |
| 100+ | 0,447 $ |
| 250+ | 0,394 $ |
| 500+ | 0,341 $ |
| 1000+ | 0,306 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ1922AEEH-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Mise en bobine28AH5239RL
Bandes découpées28AH5239
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id850mA
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id N Channel850mA
Continuous Drain Current Id P Channel850mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.21ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.21ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
850mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.21ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
850mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
850mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.21ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
