Imprimer la page
SQ1922EEH-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 840 mA, 840 mA, 0.2 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ1922EEH-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète20AC4090
Bandes découpées15AN1354
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
3 000 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison standard gratuite
pour les commandes de plus de 200$
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,240 $ | 1,24 $ |
| Total Prix | 1,24 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,240 $ |
| 50+ | 0,562 $ |
| 100+ | 0,496 $ |
| 250+ | 0,437 $ |
| 500+ | 0,379 $ |
| 1000+ | 0,351 $ |
| 2500+ | 0,321 $ |
| 5000+ | 0,293 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,375 $ |
| 6000+ | 0,356 $ |
| 9000+ | 0,338 $ |
| 15000+ | 0,331 $ |
| 30000+ | 0,324 $ |
| 75000+ | 0,318 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ1922EEH-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète20AC4090
Bandes découpées15AN1354
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel840mA
Continuous Drain Current Id P Channel840mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.2ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.2ohm
Transistor Case StyleSC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
840mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.2ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
840mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.2ohm
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SQ1922EEH-T1_GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit