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SQ2309CES-T1_GE3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 1.7 A, 0.37 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ2309CES-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande10AN2861
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 21 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,700 $ |
| 5000+ | 0,540 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 3000
Multiple: 3000
2 100,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ2309CES-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande10AN2861
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.7A
Drain Source On State Resistance0.37ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation2W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.37ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit