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SQ2364EES-T1_BE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, TO-236, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ2364EES-T1_BE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande87AJ3530
Gamme de produitTrenchFET Series
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ2364EES-T1_BE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande87AJ3530
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.24ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
QualificationAEC-Q101
Product RangeTrenchFET Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
TrenchFET Series
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.24ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Qualification
AEC-Q101
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SQ2364EES-T1_BE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
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