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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,140 $ | 2,14 $ |
| Total Prix | 2,14 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,140 $ |
| 50+ | 1,010 $ |
| 100+ | 0,899 $ |
| 250+ | 0,802 $ |
| 500+ | 0,705 $ |
| 1000+ | 0,656 $ |
| 2500+ | 0,609 $ |
| 5000+ | 0,560 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ3418AEEV-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Mise en bobine57AJ0725RL
Bandes découpées57AJ0725
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.032ohm
On Resistance Rds(on)0.026ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation5W
Power Dissipation Pd5W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SQ3418AEEV-T1_GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
