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SQ3456CEV-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 7.8A, TSOP
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ3456CEV-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Mise en bobine62AK0146RL
Bandes découpées62AK0146
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
2 737 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,390 $ | 1,39 $ |
| Total Prix | 1,39 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,390 $ |
| 50+ | 0,983 $ |
| 100+ | 0,612 $ |
| 250+ | 0,517 $ |
| 500+ | 0,421 $ |
| 1000+ | 0,354 $ |
| 2500+ | 0,336 $ |
| 5000+ | 0,318 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ3456CEV-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Mise en bobine62AK0146RL
Bandes découpées62AK0146
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id7.8A
Drain Source On State Resistance0.035ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation4W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.8A
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
4W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit