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SQ3457EV-T1_GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 6.8 A, 0.065 ohm, TSOP, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ3457EV-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6404
Mise en bobine75AH9250RL
Bandes découpées75AH9250
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
4 800 En Stock
4 800 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,242 $ | 0,24 $ |
| Total Prix | 0,24 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,242 $ |
| 50+ | 0,192 $ |
| 100+ | 0,165 $ |
| 250+ | 0,143 $ |
| 500+ | 0,119 $ |
| 1000+ | 0,102 $ |
| 2500+ | 0,078 $ |
| 5000+ | 0,074 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,565 $ |
| 5000+ | 0,555 $ |
| 10000+ | 0,522 $ |
| 20000+ | 0,495 $ |
| 30000+ | 0,469 $ |
| 50000+ | 0,455 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ3457EV-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6404
Mise en bobine75AH9250RL
Bandes découpées75AH9250
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6.8A
On Resistance Rds(on)0.035ohm
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation5W
Power Dissipation Pd5W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.035ohm
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
6.8A
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits