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SQ3987EV-T1_GE3
MOSFET, AEC-Q101, DUAL P-CH, -30V, -3A
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ3987EV-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Bobine complète59AC7679
Mise en bobine81AC2831RL
Bandes découpées81AC2831
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
3 037 En Stock
3 037 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 1,660 $ | 8,30 $ |
| Total Prix | 8,30 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,660 $ |
| 10+ | 1,050 $ |
| 25+ | 0,921 $ |
| 50+ | 0,802 $ |
| 100+ | 0,682 $ |
| 250+ | 0,606 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,577 $ |
| 5000+ | 0,567 $ |
| 10000+ | 0,534 $ |
| 20000+ | 0,506 $ |
| 30000+ | 0,480 $ |
| 50000+ | 0,464 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ3987EV-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Bobine complète59AC7679
Mise en bobine81AC2831RL
Bandes découpées81AC2831
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel3A
Continuous Drain Current Id P Channel3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.085ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.085ohm
Transistor Case StyleTSOP
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.67W
Power Dissipation P Channel1.67W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.085ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.67W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
3A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.085ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation N Channel
1.67W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SQ3987EV-T1_GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit