Imprimer la page

SQ3987EV-T1_GE3

Name: VISHAY SQ3987EV-T1_GE3
Brand: VISHAY
SKU: 81AC2831
Availability: InStock

MOSFET, AEC-Q101, DUAL P-CH, -30V, -3A

Date/Lot Code

L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

FabricantVISHAY

Réf. FabricantSQ3987EV-T1_GE3

Code Commande

Bobine complète59AC7679

Mise en bobine81AC2831

Bandes découpées81AC2831

Gamme de produitTrenchFET Series

Votre numéro de pièce

Fiche technique

Data Sheet

Découvrez tous les documents techniques

3 372 En Stock

Bobine complète sont disponibles en commande différée. Le délai est de 22 semaines. Elles seront facturées au moment de l’expédition. Bandes découpées et Mise en bobine sont en stock

Options de conditionnement

Expédiées lorsqu’en stock

Bobine complète

(Min : 3000 / Mult : 3000)

Mise en bobine

(Min : 100 / Mult : 5)

Bandes découpées

(Min : 5 / Mult : 5)

Type de conditionnement	Quantité	PU HT:	Total
Bandes découpées	5	1,410 $	7,05 $
Total Prix			7,05 $

Bandes découpées & Mise en bobine

Quantité	Prix
1+	1,410 $
10+	0,882 $
25+	0,783 $
50+	0,683 $
100+	0,584 $
250+	0,520 $
500+	0,455 $
1000+	0,413 $

Bobine complète

Quantité	Prix
1+	0,590 $
5000+	0,580 $
10000+	0,547 $
20000+	0,518 $
30000+	0,493 $
50000+	0,477 $

Note à la ligne

Note

Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.

Informations produit

FabricantVISHAY

Réf. FabricantSQ3987EV-T1_GE3

Code Commande

Bobine complète59AC7679

Mise en bobine81AC2831

Bandes découpées81AC2831

Gamme de produitTrenchFET Series

Fiche technique

Data Sheet

Channel TypeP Channel

Continuous Drain Current Id3A

Drain Source Voltage Vds N Channel30V

Drain Source Voltage Vds P Channel30V

Drain Source Voltage Vds30V

Continuous Drain Current Id N Channel3A

Continuous Drain Current Id P Channel3A

Drain Source On State Resistance N Channel0.085ohm

Drain Source On State Resistance P Channel0.085ohm

Transistor Case StyleTSOP

No. of Pins6Pins

Power Dissipation N Channel1.67W

Power Dissipation P Channel1.67W

Operating Temperature Max175°C

Product RangeTrenchFET Series

QualificationAEC-Q101

MSLMSL 1 - Unlimited

SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)

Spécifications techniques

Channel Type

P Channel

Drain Source Voltage Vds N Channel

30V

Drain Source Voltage Vds

30V

Continuous Drain Current Id P Channel

Drain Source On State Resistance P Channel

0.085ohm

No. of Pins

6Pins

Power Dissipation P Channel

1.67W

Product Range

TrenchFET Series

MSL

MSL 1 - Unlimited

Continuous Drain Current Id

Drain Source Voltage Vds P Channel

30V

Continuous Drain Current Id N Channel

Drain Source On State Resistance N Channel

0.085ohm

Transistor Case Style

TSOP

Power Dissipation N Channel

1.67W

Operating Temperature Max

175°C

Qualification

AEC-Q101

SVHC

No SVHC (25-Jun-2025)

Documents techniques (1)

Technical Data Sheet EN

Produits de remplacement pour SQ3987EV-T1_GE3

1 produit trouvé

Législation et Questions environnementales

US ECCN:Unknown

EU ECCN:Unknown

Conforme RoHS :Oui

RoHS

Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui

RoHS

SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)

Télécharger le certificat de conformité du produit

Certificat de conformité du produit

Traçabilité des produits