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SQ4284EY-T1_BE3

Name: VISHAY SQ4284EY-T1_BE3
Brand: VISHAY
SKU: 80AH8976
Availability: InStock

Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 8 A, 0.0112 ohm

Date/Lot Code

L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

VISHAY SQ4284EY-T1_BE3 Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 8 A, 0.0112 ohm

FabricantVISHAY

Réf. FabricantSQ4284EY-T1_BE3Copie

Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines

Code Commande

Bobine complète78AH6706

Mise en bobine80AH8976RL

Bandes découpées80AH8976

Gamme de produitTrenchFET Series

Votre numéro de pièce

Fiche technique

Data Sheet

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Expédiées lorsqu’en stock

Bobine complète

(Min : 2500 / Mult : 2500)

Mise en bobine

(Min : 10 / Mult : 1)

Bandes découpées

(Min : 1 / Mult : 1)

Type de conditionnement	Quantité	PU HT:	Total
Bandes découpées	1	2,960 $	2,96 $
Total Prix			2,96 $

Bandes découpées & Mise en bobine

Quantité	Prix
1+	2,960 $
50+	1,400 $
100+	1,180 $
250+	1,110 $
500+	1,040 $
1000+	0,952 $
2500+	0,895 $
5000+	0,877 $

Bobine complète

Quantité	Prix
2500+	0,988 $
5000+	0,936 $
7500+	0,917 $
12500+	0,899 $
25000+	0,879 $
62500+	0,861 $

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Informations produit

FabricantVISHAY

Réf. FabricantSQ4284EY-T1_BE3Copie

Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines

Code Commande

Bobine complète78AH6706

Mise en bobine80AH8976RL

Bandes découpées80AH8976

Gamme de produitTrenchFET Series

Fiche technique

Data Sheet

Channel TypeN Channel

Drain Source Voltage Vds40V

Drain Source Voltage Vds N Channel40V

Continuous Drain Current Id8A

Drain Source Voltage Vds P Channel-

Continuous Drain Current Id N Channel8A

Continuous Drain Current Id P Channel-

Drain Source On State Resistance N Channel0.0112ohm

Drain Source On State Resistance P Channel-

Transistor Case StyleSOIC

No. of Pins8Pins

Power Dissipation N Channel3.9W

Power Dissipation P Channel-

Operating Temperature Max175°C

Product RangeTrenchFET Series

QualificationAEC-Q101

SVHCLead (07-Nov-2024)

Aperçu du produit

Remarques

BE3 suffix indicates non China production - not subject to US import tariffs

Spécifications techniques

Channel Type

N Channel

Drain Source Voltage Vds N Channel

40V

Drain Source Voltage Vds P Channel

Continuous Drain Current Id P Channel

Drain Source On State Resistance P Channel

No. of Pins

8Pins

Power Dissipation P Channel

Product Range

TrenchFET Series

SVHC

Lead (07-Nov-2024)

Drain Source Voltage Vds

40V

Continuous Drain Current Id

Continuous Drain Current Id N Channel

Drain Source On State Resistance N Channel

0.0112ohm

Transistor Case Style

SOIC

Power Dissipation N Channel

3.9W

Operating Temperature Max

175°C

Qualification

AEC-Q101

Documents techniques (3)

Product Change Notice EN

SQ4284EY-T1_BE3 Data Sheet

EOL Notices EN

Législation et Questions environnementales

US ECCN:EAR99

EU ECCN:Unknown

Conforme RoHS :Oui

RoHS

Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui

RoHS

SVHC :Lead (07-Nov-2024)

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Certificat de conformité du produit

Traçabilité des produits