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SQ4532AEY-T1_GE3
MOSFET, COMPLEMENTARY, 30V, 7.3A, 3.3W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ4532AEY-T1_GE3
Code Commande
Bobine complète20AC4116
Mise en bobine75AH9254
Bandes découpées75AH9254
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
6 087 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,100 $ | 1,10 $ |
| Total Prix | 1,10 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,100 $ |
| 10+ | 0,719 $ |
| 25+ | 0,677 $ |
| 50+ | 0,636 $ |
| 100+ | 0,594 $ |
| 250+ | 0,581 $ |
| 500+ | 0,569 $ |
| 1000+ | 0,549 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,995 $ |
| 5000+ | 0,976 $ |
| 10000+ | 0,921 $ |
| 20000+ | 0,873 $ |
| 30000+ | 0,829 $ |
| 50000+ | 0,803 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ4532AEY-T1_GE3
Code Commande
Bobine complète20AC4116
Mise en bobine75AH9254
Bandes découpées75AH9254
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id7.3A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel7.3A
Continuous Drain Current Id P Channel7.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.021ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.021ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.3W
Power Dissipation P Channel3.3W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
7.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.021ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.3W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
7.3A
Continuous Drain Current Id N Channel
7.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.021ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.3W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SQ4532AEY-T1_GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits