Imprimer la page
SQ4532AEY-T1_GE3
MOSFET, COMPLEMENTARY, 30V, 7.3A, 3.3W
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ4532AEY-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Mise en bobine75AH9254RL
Bandes découpées75AH9254
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 21 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,450 $ | 2,45 $ |
| Total Prix | 2,45 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,450 $ |
| 50+ | 1,110 $ |
| 100+ | 0,992 $ |
| 250+ | 0,887 $ |
| 500+ | 0,780 $ |
| 1000+ | 0,734 $ |
| 2500+ | 0,651 $ |
| 5000+ | 0,626 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ4532AEY-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Mise en bobine75AH9254RL
Bandes découpées75AH9254
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id7.3A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel7.3A
Continuous Drain Current Id P Channel7.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.021ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.021ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.3W
Power Dissipation P Channel3.3W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
7.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.021ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.3W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
7.3A
Continuous Drain Current Id N Channel
7.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.021ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.3W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SQ4532AEY-T1_GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit