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SQ4917EY-T1_GE3
MOSFET, P-CH, 60V, 8A, 175DEG C, 5W
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ4917EY-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant41 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6408
Mise en bobine75AH9256RL
Bandes découpées75AH9256
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
72 En Stock
72 disponibles sur {packagingType}
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Disponible jusqu à épuisement du stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,240 $ | 2,24 $ |
| Total Prix | 2,24 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,240 $ |
| 50+ | 1,960 $ |
| 100+ | 1,810 $ |
| 250+ | 1,650 $ |
| 500+ | 1,450 $ |
| 1000+ | 1,310 $ |
| 2500+ | 1,180 $ |
| 5000+ | 1,150 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,460 $ |
| 5000+ | 1,410 $ |
| 7500+ | 1,310 $ |
| 12500+ | 1,210 $ |
| 25000+ | 1,180 $ |
| 62500+ | 1,160 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ4917EY-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant41 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6408
Mise en bobine75AH9256RL
Bandes découpées75AH9256
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.04ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.04ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel5W
Power Dissipation P Channel5W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.04ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
5W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
8A
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.04ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit