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SQD10950E_GE3
MOSFET, N-CHANNEL 250 V DPAK TO-252
3 965 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,050 $ |
| 10+ | 1,960 $ |
| 25+ | 1,760 $ |
| 50+ | 1,530 $ |
| 100+ | 1,320 $ |
| 250+ | 1,190 $ |
| 500+ | 1,050 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,05 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQD10950E_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande34AH2725
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id11.5A
Drain Source On State Resistance0.162ohm
On Resistance Rds(on)0.1342ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd62W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation62W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.162ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
62W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
11.5A
On Resistance Rds(on)
0.1342ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit