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SQD30N05-20L_GE3
MOSFET,N CH,W DIODE,55V,30A,TO-252
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQD30N05-20L_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande37T8236
Votre numéro de pièce
7 491 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,210 $ |
| 10+ | 2,060 $ |
| 100+ | 1,400 $ |
| 500+ | 1,110 $ |
| 1000+ | 1,020 $ |
| 2500+ | 0,945 $ |
| 10000+ | 0,927 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,21 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQD30N05-20L_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande37T8236
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id30A
On Resistance Rds(on)0.016ohm
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
On Resistance Rds(on)
0.016ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
-
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SQD30N05-20L_GE3
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit