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SQJ136ELP-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 40V, 350A, POWERPAK SO ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJ136ELP-T1_GE3
Code Commande15AJ3252
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
87 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,490 $ |
| 10+ | 2,580 $ |
| 25+ | 2,390 $ |
| 50+ | 2,230 $ |
| 100+ | 2,050 $ |
| 250+ | 1,910 $ |
| 500+ | 1,770 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,49 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJ136ELP-T1_GE3
Code Commande15AJ3252
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id350A
On Resistance Rds(on)900µohm
Drain Source On State Resistance0.00112ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation Pd500W
Power Dissipation500W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
900µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
500W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
350A
Drain Source On State Resistance
0.00112ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation
500W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits