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SQJ138ELP-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 40V, 315A, POWERPAK SO-8L ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJ138ELP-T1_GE3
Code Commande57AJ0706
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
512 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,710 $ |
| 10+ | 2,170 $ |
| 25+ | 2,010 $ |
| 50+ | 1,840 $ |
| 100+ | 1,670 $ |
| 250+ | 1,550 $ |
| 500+ | 1,420 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,71 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJ138ELP-T1_GE3
Code Commande57AJ0706
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id315A
Drain Source On State Resistance0.0012ohm
On Resistance Rds(on)0.0012ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-8L
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation500W
Power Dissipation Pd500W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0012ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO-8L
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
500W
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
315A
On Resistance Rds(on)
0.0012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation Pd
500W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits