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SQJ500AEP-T1_GE3
MOSFET, COMPLEMENTARY, 40V, 30A, 48W ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJ500AEP-T1_GE3
Code Commande
Bobine complète76Y1541
Mise en bobine75AH9223
Bandes découpées75AH9223
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
4 745 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 3,080 $ | 15,40 $ |
| Total Prix | 15,40 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,080 $ |
| 10+ | 1,980 $ |
| 25+ | 1,770 $ |
| 50+ | 1,550 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 1,370 $ |
| 4000+ | 1,260 $ |
| 6000+ | 1,230 $ |
| 10000+ | 1,210 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJ500AEP-T1_GE3
Code Commande
Bobine complète76Y1541
Mise en bobine75AH9223
Bandes découpées75AH9223
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel7700µohm
Drain Source On State Resistance P Channel7700µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel48W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
7700µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
48W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id
30A
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
7700µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SQJ500AEP-T1_GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits