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SQJ570EP-T1_GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 100 V, 100 V, 15 A, 9.5 A, 0.0365 ohm
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJ570EP-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Bobine complète20AC4037
Bandes découpées15AN1347
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
3 000 En Stock
3 000 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,600 $ | 2,60 $ |
| Total Prix | 2,60 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,600 $ |
| 50+ | 1,240 $ |
| 100+ | 1,110 $ |
| 250+ | 0,991 $ |
| 500+ | 0,874 $ |
| 1000+ | 0,842 $ |
| 2500+ | 0,773 $ |
| 5000+ | 0,703 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,949 $ |
| 9000+ | 0,930 $ |
| 15000+ | 0,911 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJ570EP-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Bobine complète20AC4037
Bandes découpées15AN1347
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel15A
Continuous Drain Current Id P Channel9.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0365ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.146ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel27W
Power Dissipation P Channel27W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
9.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.146ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
27W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
15A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0365ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
27W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SQJ570EP-T1_GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit