Imprimer la page
SQJ912BEP-T1_GE3
MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 40V, 30A
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJ912BEP-T1_GE3
Code Commande
Bobine complète59AC7661
Mise en bobine81AC2822
Bandes découpées81AC2822
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
2 990 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 2,800 $ | 14,00 $ |
| Total Prix | 14,00 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,800 $ |
| 10+ | 1,800 $ |
| 25+ | 1,590 $ |
| 50+ | 1,410 $ |
| 100+ | 1,210 $ |
| 250+ | 1,080 $ |
| 500+ | 0,955 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 1,200 $ |
| 4000+ | 1,100 $ |
| 6000+ | 1,070 $ |
| 10000+ | 1,060 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJ912BEP-T1_GE3
Code Commande
Bobine complète59AC7661
Mise en bobine81AC2822
Bandes découpées81AC2822
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel9000µohm
Drain Source On State Resistance P Channel9000µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel48W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
9000µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
48W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
9000µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SQJ912BEP-T1_GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits