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SQJA78EP-T1_GE3
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 80V, POWERPAK SO
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 38 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,410 $ |
| 10+ | 2,300 $ |
| 25+ | 2,050 $ |
| 50+ | 1,820 $ |
| 100+ | 1,570 $ |
| 250+ | 1,420 $ |
| 500+ | 1,260 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,41 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJA78EP-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant38 semaines
Code Commande10AH1118
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id72A
On Resistance Rds(on)0.00432ohm
Drain Source On State Resistance5300µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation Pd68W
Power Dissipation68W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.00432ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
68W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
72A
Drain Source On State Resistance
5300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Power Dissipation
68W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit