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SQJB02ELP-T1_GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 40 V, 30 A, 0.0075 ohm
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJB02ELP-T1_GE3
Code Commande42AJ0825
Gamme de produitTrenchFET Series
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3 000 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,440 $ |
| 10+ | 1,630 $ |
| 25+ | 1,480 $ |
| 50+ | 1,320 $ |
| 100+ | 1,160 $ |
| 500+ | 0,965 $ |
| 1000+ | 0,886 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,44 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJB02ELP-T1_GE3
Code Commande42AJ0825
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.0075ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel27W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0075ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
27W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
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