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SQJB40EP-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 40V, 30A, 175DEG C, 34W ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJB40EP-T1_GE3
Code Commande
Bobine complète20AC3996
Mise en bobine75AH9213
Bandes découpées75AH9213
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
659 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,080 $ | 3,08 $ |
| Total Prix | 3,08 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,080 $ |
| 10+ | 1,980 $ |
| 25+ | 1,760 $ |
| 50+ | 1,550 $ |
| 100+ | 1,340 $ |
| 250+ | 1,200 $ |
| 500+ | 1,070 $ |
| 1000+ | 0,983 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 1,140 $ |
| 4000+ | 1,050 $ |
| 6000+ | 1,020 $ |
| 10000+ | 1,010 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJB40EP-T1_GE3
Code Commande
Bobine complète20AC3996
Mise en bobine75AH9213
Bandes découpées75AH9213
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel6300µohm
Drain Source On State Resistance P Channel6300µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel34W
Power Dissipation P Channel34W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
6300µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
34W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id
30A
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
6300µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
34W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SQJB40EP-T1_GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
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