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SQJB70EP-T1_GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 100V, POWERPAK SO
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJB70EP-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Bobine complète59AC7632
Mise en bobine28AC3078RL
Bandes découpées28AC3078
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
4 296 En Stock
4 296 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,200 $ | 2,20 $ |
| Total Prix | 2,20 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,200 $ |
| 50+ | 1,390 $ |
| 100+ | 0,923 $ |
| 250+ | 0,824 $ |
| 500+ | 0,724 $ |
| 1000+ | 0,660 $ |
| 2500+ | 0,619 $ |
| 5000+ | 0,577 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,755 $ |
| 9000+ | 0,746 $ |
| 15000+ | 0,731 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJB70EP-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Bobine complète59AC7632
Mise en bobine28AC3078RL
Bandes découpées28AC3078
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id11.3A
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id N Channel11.3A
Continuous Drain Current Id P Channel11.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.078ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.078ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel27W
Power Dissipation P Channel27W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
11.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.078ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
27W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
11.3A
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
11.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.078ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
27W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SQJB70EP-T1_GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit