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SQJB80EP-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.019 ohm
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJB80EP-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant38 semaines
Code Commande
Bobine complète20AC3999
Mise en bobine10AC9133RL
Bandes découpées10AC9133
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
1 039 En Stock
1 039 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,120 $ | 3,12 $ |
| Total Prix | 3,12 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,120 $ |
| 10+ | 1,990 $ |
| 25+ | 1,770 $ |
| 50+ | 1,560 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,110 $ |
| 4000+ | 1,020 $ |
| 6000+ | 0,995 $ |
| 10000+ | 0,978 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJB80EP-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant38 semaines
Code Commande
Bobine complète20AC3999
Mise en bobine10AC9133RL
Bandes découpées10AC9133
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds N Channel80V
Drain Source Voltage Vds P Channel80V
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel0.019ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0155ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel48W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
80V
Drain Source Voltage Vds
80V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0155ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
48W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source Voltage Vds P Channel
80V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.019ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SQJB80EP-T1_GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit