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SQJQ160E-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 602 A, 850 µohm, PowerPAK, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJQ160E-T1_GE3
Code Commande87AJ3477
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Fiche technique
2 000 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,780 $ |
| 10+ | 3,270 $ |
| 25+ | 2,870 $ |
| 50+ | 2,680 $ |
| 100+ | 2,320 $ |
| 250+ | 2,040 $ |
| 500+ | 2,020 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,78 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJQ160E-T1_GE3
Code Commande87AJ3477
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id602A
Drain Source On State Resistance850µohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation600W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
602A
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
850µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit