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SQJQ181EL-T1_GE3
MOSFET, P-CH, 80V, 175A, POWERPAK
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJQ181EL-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Mise en bobine51AM4729RL
Bandes découpées51AM4729
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 6,120 $ | 6,12 $ |
| Total Prix | 6,12 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,120 $ |
| 50+ | 4,100 $ |
| 100+ | 2,940 $ |
| 250+ | 2,830 $ |
| 500+ | 2,700 $ |
| 1000+ | 2,640 $ |
| 2500+ | 2,580 $ |
| 5000+ | 2,540 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJQ181EL-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Mise en bobine51AM4729RL
Bandes découpées51AM4729
Gamme de produitTrenchFET Series
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id175A
Drain Source On State Resistance0.0055ohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation348W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
175A
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
348W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit