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SQJQ910EL-T1_GE3
MOSFET, DUAL, N-CH, 100V/POWERPAK 8 X 8L ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJQ910EL-T1_GE3
Code Commande
Bobine complète20AC4011
Mise en bobine57AJ0704
Bandes découpées57AJ0704
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
2 005 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,420 $ | 4,42 $ |
| Total Prix | 4,42 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,420 $ |
| 10+ | 3,150 $ |
| 25+ | 2,840 $ |
| 50+ | 2,520 $ |
| 100+ | 2,210 $ |
| 250+ | 2,080 $ |
| 500+ | 1,920 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 2,540 $ |
| 4000+ | 2,350 $ |
| 6000+ | 2,290 $ |
| 10000+ | 2,220 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJQ910EL-T1_GE3
Code Commande
Bobine complète20AC4011
Mise en bobine57AJ0704
Bandes découpées57AJ0704
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id70A
Continuous Drain Current Id N Channel70A
Continuous Drain Current Id P Channel70A
Drain Source On State Resistance N Channel7200µohm
Drain Source On State Resistance P Channel7200µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins4Pins
Power Dissipation N Channel187W
Power Dissipation P Channel187W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Continuous Drain Current Id
70A
Continuous Drain Current Id P Channel
70A
Drain Source On State Resistance P Channel
7200µohm
No. of Pins
4Pins
Power Dissipation P Channel
187W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
70A
Drain Source On State Resistance N Channel
7200µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
187W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SQJQ910EL-T1_GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits