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SQM10250E_GE3
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 65 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQM10250E_GE3
Code Commande81AC3516
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
749 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,440 $ |
| 10+ | 2,980 $ |
| 25+ | 2,610 $ |
| 50+ | 2,440 $ |
| 100+ | 2,120 $ |
| 250+ | 1,860 $ |
| 500+ | 1,840 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,44 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQM10250E_GE3
Code Commande81AC3516
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id65A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
65A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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