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SQS405CENW-T1_GE3
MOSFET, P-CH, 12V, 16A, POWERPAK 1212-8W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQS405CENW-T1_GE3
Code Commande90AJ6757
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
17 364 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,450 $ |
| 25+ | 1,180 $ |
| 100+ | 0,755 $ |
| 500+ | 0,623 $ |
| 1000+ | 0,488 $ |
| 2500+ | 0,465 $ |
| 10000+ | 0,445 $ |
| 25000+ | 0,437 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,45 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQS405CENW-T1_GE3
Code Commande90AJ6757
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id16A
On Resistance Rds(on)0.0106ohm
Drain Source On State Resistance0.015ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation39W
Power Dissipation Pd39W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
On Resistance Rds(on)
0.0106ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
39W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
16A
Drain Source On State Resistance
0.015ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
Power Dissipation Pd
39W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits