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SQS944ENW-T1_GE3
MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 40V, 6A
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQS944ENW-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant38 semaines
Code Commande
Bobine complète59AC7673
Mise en bobine81AC2829RL
Bandes découpées81AC2829
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 36 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,580 $ | 2,58 $ |
| Total Prix | 2,58 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,580 $ |
| 10+ | 1,640 $ |
| 25+ | 1,460 $ |
| 50+ | 1,280 $ |
| 100+ | 1,100 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,973 $ |
| 4000+ | 0,898 $ |
| 6000+ | 0,873 $ |
| 10000+ | 0,859 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQS944ENW-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant38 semaines
Code Commande
Bobine complète59AC7673
Mise en bobine81AC2829RL
Bandes découpées81AC2829
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id6A
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.019ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.019ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel27.8W
Power Dissipation P Channel27.8W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id
6A
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.019ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
27.8W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.019ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
27.8W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SQS944ENW-T1_GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit