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SQSA80ENW-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 3000 | 1,030 $ | 3 090,00 $ |
| Total Prix | 3 090,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,030 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,010 $ |
| 6000+ | 0,991 $ |
| 9000+ | 0,972 $ |
| 15000+ | 0,951 $ |
| 30000+ | 0,931 $ |
| 75000+ | 0,910 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQSA80ENW-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant36 semaines
Code Commande
Bobine complète20AC4073
Bandes découpées15AN1349
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance0.015ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation62.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.015ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SQSA80ENW-T1_GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit