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SUD50P04-08-BE3

Name: VISHAY SUD50P04-08-BE3
Brand: VISHAY
SKU: 80AH8988
Availability: InStock

Power MOSFET, P Channel, 40 V, 50 A, 8.1 mohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Date/Lot Code

L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

FabricantVISHAY

Réf. FabricantSUD50P04-08-BE3

Code Commande

Bobine complète78AH6738

Mise en bobine80AH8988

Bandes découpées80AH8988

Gamme de produitTrenchFET Series

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Fiche technique

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Bobine complète

(Min : 2000 / Mult : 2000)

Mise en bobine

(Min : 10 / Mult : 1)

Bandes découpées

(Min : 1 / Mult : 1)

Type de conditionnement	Quantité	PU HT:	Total
Bandes découpées	1	3,150 $	3,15 $
Total Prix			3,15 $

Bandes découpées & Mise en bobine

Quantité	Prix
1+	3,150 $
10+	1,760 $
25+	1,590 $
50+	1,450 $
100+	1,300 $
250+	1,240 $
500+	1,190 $

Bobine complète

Quantité	Prix
2000+	0,972 $
4000+	0,873 $
6000+	0,842 $
10000+	0,823 $

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Informations produit

FabricantVISHAY

Réf. FabricantSUD50P04-08-BE3

Code Commande

Bobine complète78AH6738

Mise en bobine80AH8988

Bandes découpées80AH8988

Gamme de produitTrenchFET Series

Fiche technique

Data Sheet

Channel TypeP Channel

Transistor PolarityP Channel

Drain Source Voltage Vds40V

Continuous Drain Current Id50A

On Resistance Rds(on)0.0067ohm

Drain Source On State Resistance8.1mohm

Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)

Transistor MountingSurface Mount

Rds(on) Test Voltage10V

Gate Source Threshold Voltage Max2.5V

Power Dissipation Pd73.5W

Power Dissipation73.5W

No. of Pins3Pins

Operating Temperature Max150°C

Product RangeTrenchFET Series

Qualification-

SVHCLead

Aperçu du produit

Remarques

BE3 suffix indicates non China production - not subject to US import tariffs

Spécifications techniques

Channel Type

P Channel

Drain Source Voltage Vds

40V

On Resistance Rds(on)

0.0067ohm

Transistor Case Style

TO-252 (DPAK)

Rds(on) Test Voltage

10V

Power Dissipation Pd

73.5W

No. of Pins

3Pins

Product Range

TrenchFET Series

SVHC

Lead

Transistor Polarity

P Channel

Continuous Drain Current Id

50A

Drain Source On State Resistance

8.1mohm

Transistor Mounting

Surface Mount

Gate Source Threshold Voltage Max

2.5V

Power Dissipation

73.5W

Operating Temperature Max

150°C

Qualification

Documents techniques (2)

Technical Data Sheet EN

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Législation et Questions environnementales

US ECCN:EAR99

EU ECCN:Unknown

Conforme RoHS :Y-Ex

RoHS

Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui