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SUD50P04-08-BE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 50 A, 8.1 mohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUD50P04-08-BE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète78AH6738
Mise en bobine80AH8988RL
Bandes découpées80AH8988
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
1 851 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,950 $ | 3,95 $ |
| Total Prix | 3,95 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,950 $ |
| 50+ | 2,270 $ |
| 100+ | 1,610 $ |
| 250+ | 1,520 $ |
| 500+ | 1,420 $ |
| 1000+ | 1,330 $ |
| 2500+ | 1,160 $ |
| 5000+ | 1,130 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 0,946 $ |
| 4000+ | 0,927 $ |
| 6000+ | 0,907 $ |
| 10000+ | 0,889 $ |
| 20000+ | 0,870 $ |
| 50000+ | 0,851 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUD50P04-08-BE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète78AH6738
Mise en bobine80AH8988RL
Bandes découpées80AH8988
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id50A
On Resistance Rds(on)0.0067ohm
Drain Source On State Resistance8.1mohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation73.5W
Power Dissipation Pd73.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
Remarques
BE3 suffix indicates non China production - not subject to US import tariffs
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0067ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
73.5W
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
8.1mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
73.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (3)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits