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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUD50P04-08-GE3Copie
Code Commande
Mise en bobine86R4268
Bandes découpées86R4268
Votre numéro de pièce
338 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,550 $ | 2,55 $ |
| Total Prix | 2,55 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,550 $ |
| 10+ | 2,440 $ |
| 25+ | 2,230 $ |
| 50+ | 2,030 $ |
| 100+ | 1,880 $ |
| 250+ | 1,620 $ |
| 500+ | 1,460 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUD50P04-08-GE3Copie
Code Commande
Mise en bobine86R4268
Bandes découpées86R4268
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance8.1mohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation73.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead
Aperçu du produit
The SUD50P04-08-GE3 is a 40VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for power switch, DC-to-DC converter and load switch in high current applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
73.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
8.1mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SUD50P04-08-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits
