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SUD50P06-15-GE3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUD50P06-15-GE3Copie
Code Commande
Mise en bobine16P3891
Bandes découpées16P3891
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| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,260 $ | 1,26 $ |
| Total Prix | 1,26 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,260 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUD50P06-15-GE3Copie
Code Commande
Mise en bobine16P3891
Bandes découpées16P3891
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.015ohm
On Resistance Rds(on)0.012ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
The SUD50P06-15-GE3 is a 60V P-channel TrenchFET® Power MOSFET with power dissipation at 2.5W. This power MOSFET is designed for load switch.
- ±20V Gate-source voltage
Applications
Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.015ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
50A
On Resistance Rds(on)
0.012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit