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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUD50P08-25L-E3Copie
Code Commande
Mise en bobine70AC6528
Bandes découpées70AC6528
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1 744 En Stock
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| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,410 $ | 1,41 $ |
| Total Prix | 1,41 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,410 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUD50P08-25L-E3Copie
Code Commande
Mise en bobine70AC6528
Bandes découpées70AC6528
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id50A
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Drain Source On State Resistance0.0252ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd136W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation136W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
SUD50P08-25L-E3 is a P-channel 80-V (D-S) 175°C MOSFET.
- TrenchFET® power MOSFET
- Drain-source breakdown voltage is -80V min at VGS = 0V, ID = - 250µA, TJ = 25°C
- Zero gate voltage drain current is -1µA max at VDS = -80V, VGS = 0V, TJ = 25°C
- Drain-source on-state resistance is 0.021ohm typ at VGS = -10V, ID = -12.5A, TJ = 25°C
- Continuous source-drain diode current is -50A max at TC = 25°C
- Body diode reverse recovery charge is 110nC typ at IF = -10.5A, di/dt = 100A/µs, TJ = 25°C
- Gate resistance is 4ohm typ at f = 1MHz
- Reverse recovery fall time is 37ns typ at IF = -10.5A, di/dt = 100A/µs, TJ = 25°C
- Reverse recovery rise time is 18ns typ at IF = -10.5A, di/dt = 100A/µs, TJ = 25°C
- Operating junction and storage temperature range from -55 to 175°C
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
Lead
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.0252ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
136W
Power Dissipation
136W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SUD50P08-25L-E3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
