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SUG80050E-GE3
MOSFET, N-CH, 150V, 100A, TO-247
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUG80050E-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande15AC8716
Gamme de produitThunderFET
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 42 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,640 $ |
| 10+ | 9,580 $ |
| 25+ | 9,010 $ |
| 50+ | 8,400 $ |
| 100+ | 7,650 $ |
| 500+ | 7,110 $ |
| 1000+ | 6,470 $ |
| 2500+ | 6,130 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
10,64 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUG80050E-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande15AC8716
Gamme de produitThunderFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0045ohm
Drain Source On State Resistance5400µohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd500W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation500W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeThunderFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.0045ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
ThunderFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
5400µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
500W
Power Dissipation
500W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SUG80050E-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit