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SUP70060E-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 131A, 175DEG C, 200W ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUP70060E-GE3
Code Commande75AH9270
Gamme de produitThunderFET
Fiche technique
1 291 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,280 $ |
| 10+ | 2,280 $ |
| 25+ | 2,170 $ |
| 50+ | 2,060 $ |
| 100+ | 1,940 $ |
| 500+ | 1,850 $ |
| 1000+ | 1,780 $ |
| 2500+ | 1,740 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,28 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUP70060E-GE3
Code Commande75AH9270
Gamme de produitThunderFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id131A
Drain Source On State Resistance0.0058ohm
On Resistance Rds(on)0.0048ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
Power Dissipation Pd200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeThunderFET
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0058ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200W
No. of Pins
3Pins
Product Range
ThunderFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
131A
On Resistance Rds(on)
0.0048ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits