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SUP70101EL-GE3
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 120 A, 0.0101 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUP70101EL-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant41 semaines
Code Commande20AC4720
Gamme de produitTrenchFET Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,100 $ |
| 10+ | 3,980 $ |
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| 50+ | 3,570 $ |
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| 250+ | 3,090 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUP70101EL-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant41 semaines
Code Commande20AC4720
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.0101ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0101ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit
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