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TN2404K-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 240 V, 200 mA, 4 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantTN2404K-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant62 semaines
Code Commande
Bobine complète57J5896
Mise en bobine35K3505RL
Bandes découpées35K3505
Votre numéro de pièce
50 391 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,210 $ | 2,21 $ |
| Total Prix | 2,21 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,210 $ |
| 50+ | 1,120 $ |
| 100+ | 1,010 $ |
| 250+ | 0,922 $ |
| 500+ | 0,827 $ |
| 1000+ | 0,810 $ |
| 2500+ | 0,794 $ |
| 5000+ | 0,777 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,535 $ |
| 6000+ | 0,506 $ |
| 9000+ | 0,476 $ |
| 15000+ | 0,466 $ |
| 30000+ | 0,457 $ |
| 75000+ | 0,447 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantTN2404K-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant62 semaines
Code Commande
Bobine complète57J5896
Mise en bobine35K3505RL
Bandes découpées35K3505
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds240V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance4ohm
On Resistance Rds(on)4ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd360mW
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The TN2404K-T1-E3 is a 240VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays, transistors and memories drivers.
- Low ON-resistance
- 260V Secondary breakdown free
- Low power/voltage driven
- Low input and output leakage
- Excellent thermal stability
- Low offset voltage
- Full-voltage operation
- Easily driven without buffer
- Low error voltage
- No high-temperature “Run-away”
Applications
Industrial, Power Management, Communications & Networking
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
240V
Drain Source On State Resistance
4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
360mW
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
On Resistance Rds(on)
4ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour TN2404K-T1-E3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits