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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantTSFF5210-CS12
Code Commande53W1968
Fiche technique
Peak Wavelength870nm
Angle of Half Intensity10°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)180mW/Sr
Rise Time15ns
Fall Time tf15ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.8V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)
Aperçu du produit
870nm, GaAlAs double hetero high speed infrared emitting diode. It is suitable for use in Infrared video data transmission between camcorder and TV set, free air data transmission systems with high modulation frequencies or high data transmission rate requirements and smoke-automatic fire detectors.
- Package form: T-1 3/4
- Leads with stand-off
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Angle of half intensity: = ± 10°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- High modulation bandwidth: fc = 24MHz
- Good spectral matching with Si photodetectors
Spécifications techniques
Peak Wavelength
870nm
Diode Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Rise Time
15ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (08-Jul-2021)
Angle of Half Intensity
10°
Radiant Intensity (Ie)
180mW/Sr
Fall Time tf
15ns
Forward Voltage VF Max
1.8V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
Documents techniques (3)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (08-Jul-2021)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit